DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡，以满足现代电子设备对功率密度和能效的严格要求。其内部架构优化了电荷载流子的迁移路径，有效降低了传导损耗，为负载开关、电源管理和电机控制等应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达3.8A，适用于中低电压、中等电流的电路环境。其导通电阻(Rds(on))表现优异，在10V驱动电压(Vgs)和5.3A漏极电流条件下，典型值仅为70毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷(Qg)最大值低至5.2nC (at 4.5V)，输入电容(Ciss)最大值为563pF (at 25V)，这些低电荷参数确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，特别有利于高频开关应用。

在接口与参数方面，DMP3085LSS-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值，增强了其抗干扰能力和设计灵活性。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，提供了良好的噪声容限。器件采用表面贴装技术，便于自动化生产。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其综合性能，DMP3085LSS-13非常适合多种应用场景。它常被用作电池供电设备中的负载开关，高效地控制子系统电源的通断以延长续航。在DC-DC转换器的同步整流或高端开关电路中，其低Rds(on)特性有助于提升整体转换效率。此外，它也适用于便携式设备、消费类电子产品、工业控制模块中的电机驱动、电源反向保护以及热插拔控制电路，为设计工程师提供了一个高效、紧凑且可靠的功率开关选择。

• 型号:DMP3085LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 5.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:563 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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