DMP3098LDM-7

DMP3098LDM-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件采用紧凑的SOT-26封装，集成了高性能的功率开关功能，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，为空间受限的现代电子设备提供了高效的功率管理解决方案。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)能力，在10V栅源驱动电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至65毫欧。这一低导通电阻特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能源效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.1V，确保了与低电压逻辑电路（如3.3V或5V微控制器）的良好兼容性，便于直接驱动。此外，其栅极电荷(Qg)最大值仅为7.8nC，结合336pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关损耗并适用于高频开关应用。

在电气接口与参数方面，DMP3098LDM-7支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其推荐工作栅极电压范围为4.5V至10V，在此范围内可确保获得最优的导通电阻性能。器件的最大功耗为1.25W（环境温度Ta下），并拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），保证了其在苛刻环境下的可靠性与稳定性。其表面贴装型SOT-26封装非常适合于自动化贴片生产，有助于降低组装成本并提高PCB空间利用率。

凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，该器件广泛应用于需要高效功率切换或负载管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、电池供电设备的电源反向保护，以及便携式设备、物联网模块和消费类电子产品中的电机驱动或LED驱动电路。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号芯片，以确保产品的正宗来源与技术支持。

• 型号:DMP3098LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:336 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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