DMP3099L-13

DMP3099L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其栅极结构经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，这得益于其2.1V（最大值）的低栅极阈值电压，使其与众多低压微控制器和逻辑电平输出端口兼容，简化了驱动电路设计。

在电气性能方面，该MOSFET展现出卓越的导通特性。在10V的栅源电压驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至65毫欧（在3.8A电流条件下），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为5.2nC @ 4.5V，结合563pF的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量极低，这不仅有助于降低开关损耗，还能减少对驱动电路的电流需求，从而提升整体开关速度并简化栅极驱动设计。

该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为其在常见低压电源轨（如12V或24V系统）中的应用提供了充足的安全裕量。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下额定为3.8A，能够处理可观的负载电流。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

凭借其SOT-23的表面贴装封装，DMP3099L-13非常适合于空间受限的现代电子设备。其典型应用场景包括负载开关、电源管理单元中的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其优异的性能组合使其成为要求高效率、小尺寸和低成本的低压功率控制应用的理想选择。

• 型号:DMP3099L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:563 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.08W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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