DMP3099LQ-13

DMP3099LQ-13是一款由Diodes Incorporated推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的SOT-23封装内。其核心架构基于稳健的沟槽设计，旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，同时确保栅极电荷保持在较低水平，这对于提升开关效率、降低开关损耗至关重要。该器件通过了严格的AEC-Q101认证，满足汽车电子应用的可靠性要求，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该MOSFET的30V漏源击穿电压（Vdss）与3.8A连续漏极电流（Id）能力，使其非常适合用于低压、中电流的电源管理和负载开关场景。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源电压（Vgs）和3.8A电流条件下典型值仅为65毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）仅为2.1V，配合较低的栅极电荷（Qg，最大值11nC @ 10V），意味着它能够被微控制器或低电压逻辑电路（如3.3V或5V系统）轻松、快速地驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。

在接口与参数方面，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极保护能力。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大值为563pF，结合低Qg特性，共同优化了开关性能。表面贴装的SOT-23封装形式使其占板面积极小，非常适合空间受限的便携式设备和高度集成的模块。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取该产品及相关设计资源。

基于其AEC-Q101认证资质、优异的电气性能以及紧凑的封装，DMP3099LQ-13广泛应用于汽车电子领域，如车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、传感器电源开关等。同时，在工业控制、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑的电源分配和负载开关）、电池供电设备以及DC-DC转换器的同步整流或高端开关电路中，它也是一款高性价比的解决方案，能够有效提升系统的能效和可靠性。

• 型号:DMP3099LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:563 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.08W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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