DMP3165L-13

DMP3165L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计聚焦于在有限的PCB空间内提供高效的功率开关能力，内部结构经过精心优化，以最小化寄生参数，从而提升整体能效和开关速度。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和2.7A漏极电流（Id）条件下，Rds(On)最大值仅为90毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在开关应用中能效表现优异。同时，其栅极电荷（Qg）极低，最大值仅为2nC @ 10V，这意味着驱动电路所需的开关能量很小，有助于简化栅极驱动设计并进一步提升高频开关效率。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.1V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，DIODES授权代理提供的这款器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达3.3A，能够满足多种中低功率场景的需求。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的栅极可靠性裕度。器件的输入电容（Ciss）最大值控制在300pF @ 10V，有助于减少开关过程中的米勒效应。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装型SOT-23封装，功率耗散能力为800mW（Ta），确保了在严苛环境下的稳定性和易于生产的装配工艺。

凭借其紧凑的尺寸、优异的电气性能和可靠性，DMP3165L-13非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、直流-直流转换器中的同步整流或高端开关，以及电机驱动、电池保护电路等。它是设计师在需要高效、可靠P沟道开关解决方案时的理想选择。

• 型号:DMP3165L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:300 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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