DMP3165SVT-7

DMP3165SVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，内部集成了优化的单元结构，通过精密的沟槽栅技术有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著减少了传导损耗和开关损耗。其架构支持在较低的栅极驱动电压下实现快速、可靠的开关动作，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备25V至30V的漏源击穿电压(BVDSS)规格，为其在低压应用中的稳定运行提供了充足的电压裕量。其关键电气特性经过精心设计，在典型的4.5V或10V栅源驱动电压下，能够呈现出极低的导通电阻，这直接转化为更低的功率耗散和更高的电流处理能力。器件具备出色的热性能，其封装设计优化了热阻，有助于在连续工作条件下将结温维持在安全范围内。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，DMP3165SVT-7兼容标准的表面贴装工艺，其小尺寸的TSOT-26封装非常适合空间受限的PCB布局。虽然具体的导通电阻、栅极电荷和连续漏极电流等动态参数需参考详细的数据手册，但其标称的电压与电流等级使其成为众多低压、大电流开关电路的理想选择。器件的静态和动态特性均经过严格测试，确保在宽温度范围内性能的一致性与可靠性。

得益于其优异的性能组合，DMP3165SVT-7广泛应用于需要高效功率管理的场景。它常见于DC-DC转换器的同步整流侧或主开关、负载开关、电机驱动控制以及电池保护电路等。在便携式设备、计算主板、消费电子及工业控制模块中，该器件能够有效提升电源系统的转换效率，延长电池续航，并简化热管理设计，是实现紧凑、高效能电源解决方案的关键组件之一。

• 型号:DMP3165SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:287 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 现在可以订购DMP3165SVT-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。