DMP32M6SPS-13

DMP32M6SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件基于优化的垂直沟道架构，集成了低栅极电荷与低导通电阻的特性，其PowerDI5060-8封装在紧凑的占位面积内实现了卓越的热性能和功率处理能力，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通损耗与高效的开关性能。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至2.6毫欧（在20A条件下测量），这一特性对于降低传导损耗、提升系统整体效率至关重要。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为158nC（@10V），有助于减少开关过程中的能量损失，并允许使用更小、更快的驱动电路，从而优化高频开关应用中的性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极保护裕度。

在电气参数方面，DMP32M6SPS-13的额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达100A的连续漏极电流。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V（@250A），与标准逻辑电平驱动兼容性良好。器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，该封装具有极低的热阻，有助于将内部功耗（最大1.3W）有效地耗散到PCB上，简化了热管理设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效率功率转换和控制的场合。典型应用包括服务器和通信设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池保护电路以及各类电机驱动控制模块。其稳健的设计使其成为空间受限且对功耗和温升有严格要求的现代电子系统的理想选择。

• 型号:DMP32M6SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8594 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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