DMP34M4SPS-13

DMP34M4SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，其核心架构优化了载流子迁移与热管理路径，在紧凑的物理尺寸内实现了卓越的电气性能与可靠性平衡。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通损耗与出色的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V，Id=20A条件下典型值仅为3.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，器件在壳温（Tc）条件下能够持续承受高达135A的漏极电流，配合30V的漏源电压（Vdss）额定值，使其成为低压大电流开关应用的理想选择。其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.6V，且支持高达±25V的栅源电压，确保了与多种逻辑电平控制器兼容的鲁棒驱动。

在动态性能方面，DMP34M4SPS-13表现出色。在Vgs=10V时，栅极总电荷（Qg）最大值为127nC，结合3775pF@15V的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为1.5W，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链与技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是保障正品货源和获取完整技术资料的有效途径。

综合其参数，DMP34M4SPS-13非常适合应用于对空间和效率有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括但不限于服务器和通信设备的负载点（POL）转换器、同步整流电路、电机驱动控制以及电池保护开关。在这些应用中，其低Rds(On)和高电流能力有助于最小化功率损耗，提升功率密度，而其坚固的PowerDI5060-8封装则提供了优异的散热性能和机械稳定性，满足现代电子设备小型化与高性能的双重需求。

• 型号:DMP34M4SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):135A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:127 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3775 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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