DMP4011SK3-13

DMP4011SK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与散热性能，其核心设计旨在优化开关效率与导通损耗，为中等功率应用提供了一个高性价比的解决方案。

该MOSFET的架构使其在40V的漏源电压（Vdss）下稳定工作，并具备出色的电流承载能力。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）为14A；而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达74A，这突显了其强大的峰值电流处理潜力与稳健的过载能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和9.8A电流下典型值仅为11毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。

在开关动态特性方面，DMP4011SK3-13表现出良好的易驱动性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或驱动IC直接控制。在10V Vgs下，最大栅极电荷（Qg）为52nC，结合2747pF的输入电容（Ciss），这有助于实现快速的开关转换并减少开关过程中的损耗，尤其适用于频率较高的PWM应用。其栅源电压可承受±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件与技术资料。

该器件的热性能参数同样值得关注，在环境温度下最大功率耗散为1.8W，在管壳温度下可达4.2W，结合TO-252封装良好的热传导路径，使其能够有效管理工作中产生的热量。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。这些接口与参数特性使其成为多种电源管理场景的理想选择。

基于其性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率切换和控制的领域。常见的应用场景包括直流-直流转换器中的负载开关或同步整流、电机驱动电路中的预驱动或H桥下管、电池供电设备的电源路径管理，以及各类工业控制板卡中的功率分配单元。其表面贴装形式也顺应了现代电子产品小型化、高密度组装的发展趋势。

• 型号:DMP4011SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），74A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2747 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），4.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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