DMP4011SPS-13

DMP4011SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而优化。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V、ID=9.8A条件下典型值仅为11毫欧，这一特性确保了在负载电流路径上的电压降和功率耗散被控制在极低水平。其栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与多种逻辑电平控制器（如3.3V或5V微控制器）轻松兼容，简化了驱动电路设计。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为52nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过渡时间，这对于高频开关电源和电机驱动等应用至关重要。

在电气参数方面，DMP4011SPS-13具备40V的漏源击穿电压（VDSS），提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态条件下的可靠性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定值为11.7A，而在封装外壳温度（Tc）下可高达76A，展现了出色的电流处理能力和热性能。器件支持±20V的栅源电压，具备良好的抗栅极电压尖峰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合表面贴装（SMD）的安装方式，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细信息与供应链服务。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合用于需要高效率电源管理的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关和同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、电池保护与充放电管理模块，以及各类便携式设备、计算设备和工业自动化设备中的功率分配与开关功能。其PowerDI5060封装在提供强大散热能力的同时，最大限度地节省了PCB空间，是空间受限且对热管理有高要求设计的理想选择。

• 型号:DMP4011SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A（Ta），76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2747 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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