DMP4013SPS-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP4013SPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于优化的沟槽工艺架构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡。其紧凑的PowerDI5060-8封装集成了良好的热性能与电气特性，为高密度电源设计提供了可靠的解决方案。

该器件具备多项关键电气特性，使其在众多应用中表现出色。其漏源电压(Vdss)高达40V，能够承受较高的反向电压，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(On))典型值低至15毫欧（@10A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应4.5V，最小对应10V），兼容多种逻辑电平，便于与微控制器或驱动IC直接接口。

在动态性能参数上，DIODES芯片代理提供的详细规格显示，在10V Vgs条件下，最大栅极电荷(Qg)仅为67nC，配合4004pF（@20V）的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并提升高频工作能力。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为11A，而在壳温(Tc)条件下可高达61A，展现了强大的功率承载潜力。器件工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，并采用表面贴装型封装，适合自动化回流焊工艺，满足严苛的工业环境要求。

基于其低导通电阻、快速开关能力以及稳健的40V耐压，DMP4013SPS-13非常适用于需要高效率功率管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电机驱动电路中的预驱动或H桥下管、电池保护与反向极性保护电路，以及各类便携式设备、服务器和通信基础设施的电源分配单元(PDU)。其优异的电气与热性能使其成为工程师在空间受限且对能效有高要求的设计中的理想选择。

• 型号:DMP4013SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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