DMP4015SPS-13

DMP4015SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，集成了优化的单元结构，在确保高电流处理能力的同时，有效降低了寄生参数，为空间受限的现代电子设备提供了高功率密度的解决方案。其沟槽工艺技术不仅提升了器件的整体性能，也增强了其在高温环境下的可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为40V，在25°C环境温度下可支持高达8.5A的连续漏极电流，适用于多种中压、中流的应用场景。其导通电阻（Rds(On)）表现优异，在10V驱动电压（Vgs）和9.8A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为2.5V，且驱动电压范围宽至4.5V至10V，使其能够与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMP4015SPS-13的栅极电荷（Qg）在5V Vgs下最大值为47.5nC，结合其输入电容（Ciss）特性，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了良好的抗栅极电压尖峰能力。器件的功率耗散能力为1.3W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其优异的电气性能和表面贴装（SMT）的便利性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效电源管理的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动电路中的预驱动或反向极性保护，以及各类消费电子、工业控制和汽车辅助系统中的功率分配单元。其平衡的性能参数使其成为工程师在设计紧凑、高效能电源解决方案时的可靠选择。

• 型号:DMP4015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.5 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMP4015SPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。