DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的TO-252（DPAK）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能的平衡。其40V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在常见低压直流母线应用中的可靠性与足够的电压裕量，而P沟道特性简化了高边开关的驱动电路设计，无需额外的电荷泵或电平转换电路，从而有助于减少系统复杂性和元件数量。

在电气性能方面，该MOSFET展现出卓越的能效表现。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至45毫欧（在4.4A条件下测量），这一特性直接转化为更低的导通损耗和发热，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为23.2nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着快速的开关切换速度和较低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了稳健的驱动鲁棒性。

该器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达20A的连续漏极电流，并能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，展现了宽泛的工作温度适应能力。其1.6W（Ta）的额定功耗要求设计者结合有效的散热设计以充分发挥其电流承载潜力。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的批量应用，通过正规的DIODES授权代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的关键。

基于其性能组合，DMP4047SK3-13非常适合用于需要高效率功率控制的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的高边开关、电机驱动电路中的预驱动或方向控制、电池供电设备的负载开关，以及各类电源管理模块中的功率路径管理。其TO-252封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是空间受限但要求高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMP4047SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 20A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1328 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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