DMP4047SSD-13

DMP4047SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款双P沟道增强型功率MOSFET阵列，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种集成化设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了需要多路P沟道开关的电路布局，提升了系统的整体集成度和可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，使其能够与3.3V或5V的微控制器及数字逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了驱动设计。在10V Vgs条件下，其导通电阻（RDS(on)）典型值低至45毫欧（在4.4A电流下），这有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为21.5nC，结合1154pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用中减少开关损耗并改善EMI性能。

在接口与关键参数方面，DMP4047SSD-13的每个MOSFET均具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和5.1A的连续漏极电流（Id）能力，为负载切换提供了充足的电压和电流裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。表面贴装的8-SOIC封装符合工业标准，便于自动化生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道进行采购，以保障产品的原装正品和供应链安全。

基于其双通道、逻辑电平驱动、低导通电阻和高开关速度的特性，该器件非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括便携式设备的电源管理模块（如负载开关、电池反接保护）、电机驱动电路中的H桥预驱动、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类需要多路信号或功率切换的工业控制板和通信模块。其稳健的性能使其成为工程师在设计中实现高效、紧凑功率切换解决方案的可靠选择。

• 型号:DMP4047SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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