DMP45H150DHE-13

Diodes Incorporated推出的DMP45H150DHE-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的P沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在SOT-223紧凑封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。该器件采用成熟的金属氧化物半导体工艺，确保了在高压工作条件下的高可靠性和稳定性，其沟道设计有效控制了电荷载流子的迁移率，从而优化了开关性能。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达450V，使其能够从容应对工业级AC-DC转换、离线式开关电源等高压环境。在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为150欧姆（测试条件为50mA），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷(Qg)最大值低至1.8nC，输入电容(Ciss)也较小，这意味着它所需的驱动能量低，能够实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取此型号及全系列产品支持。

在接口与参数方面，DMP45H150DHE-13的连续漏极电流(Id)在壳温(Tc)条件下可达250mA，最大栅源电压(Vgs)为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力。器件的功率耗散能力强劲，在壳温条件下最大可达13.9W。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的SOT-223封装形式兼顾了功率处理能力和PCB空间利用率，便于自动化生产。

基于其高压、低导通阻抗和快速开关的特性，DMP45H150DHE-13非常适用于需要高压侧开关或负载切换的应用场景。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)中的启动电路、高压电平转换、电子镇流器以及工业控制系统中的功率管理模块。其P沟道特性使得在高端驱动配置中可以简化电路设计，无需额外的自举电路，从而节省系统成本和PCB面积，是工程师设计高效、紧凑型高压电源解决方案的可靠选择。

• 型号:DMP45H150DHE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:13.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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