DMP45H4D9HJ3

作为一款高压P沟道功率MOSFET，DMP45H4D9HJ3采用了先进的平面MOSFET技术，其核心设计旨在优化高压环境下的开关性能与导通损耗。器件基于成熟的TO-251（IPAK）通孔封装，该封装在提供良好散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的便利性与机械强度，使其成为工业级应用的可靠选择。

该器件具备450V的漏源击穿电压(Vdss)，能够从容应对反激式拓扑、PFC电路等常见高压场合的电压应力。其P沟道特性简化了栅极驱动设计，在高端开关应用中，无需额外的自举电路或隔离驱动，即可实现便捷的控制。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为4.9欧姆（条件为1.05A），这一特性有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，最大栅极电荷(Qg)为13.7nC，结合547pF的输入电容，意味着其具有较快的开关速度，有助于减少开关过渡过程中的损耗。

在电气参数方面，DMP45H4D9HJ3在壳温(Tc)条件下可支持4.6A的连续漏极电流，最大功率耗散能力达104W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则为驱动电路提供了宽裕的安全裕度。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工业与汽车环境温度波动。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原厂正品支持与技术资料。

凭借其高压、低导通电阻及稳健的封装特性，该MOSFET非常适合应用于开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制以及DC-DC转换器中的高端负载开关。在诸如工业电源、家用电器、LED照明驱动及电池管理系统等对效率、可靠性和成本有综合要求的领域，DMP45H4D9HJ3提供了一个性能平衡且高性价比的解决方案。

• 型号:DMP45H4D9HJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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