DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能P沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，构建于优化的半导体工艺平台之上，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡。其450V的漏源击穿电压（Vdss）为高压侧开关应用提供了充足的电压裕量，确保了系统在电压波动或瞬态事件下的可靠性。芯片内部结构经过精心设计，以优化载流子迁移和热分布，从而在紧凑的封装内实现高效的功率处理能力。

该MOSFET的关键特性在于其优异的电气性能组合。作为P沟道器件，它简化了高压侧驱动的电路设计，无需额外的电荷泵或电平移位电路。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1.05A测试条件下最大值为4.9Ω，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为13.7nC，结合564pF的典型输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关特性，能够有效降低开关损耗并支持更高频率的开关操作，这对于提升电源转换器的功率密度至关重要。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的贴装工艺。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，配合104W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够适应严苛的工作环境。驱动门限电压（Vgs(th)）最大为5V，而栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其高压、中电流和快速开关的特性，DMP45H4D9HK3-13非常适用于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧高压侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动中的逆变桥臂以及工业照明中的LED驱动电源。在这些应用场景中，它能够帮助设计者实现高可靠性、高效率和紧凑的电源解决方案。

• 型号:DMP45H4D9HK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:564 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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