DMP56D0UFB-7

DMP56D0UFB-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件设计用于在紧凑的封装内提供可靠的开关性能，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与低栅极电荷之间的良好平衡，这对于提升开关效率和降低动态损耗至关重要。其沟道工艺确保了在宽温度范围内的稳定阈值电压，为设计提供了可预测的开关行为。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其50V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够安全地应用于多种低压至中压的电源轨切换场景。在4V的栅源驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为6欧姆（在100mA条件下测量），这有助于在导通期间最小化传导损耗，提升系统整体能效。同时，其极低的栅极电荷（Qg最大值仅为0.58nC @ 4V）和较小的输入电容（Ciss）显著降低了驱动电路的负担，使得它能够被微控制器或低电流驱动IC轻松、快速地开关，适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，DMP56D0UFB-7的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）的良好兼容性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±8V，提供了足够的驱动裕量。器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为200mA，最大功耗为425mW。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛工业环境下的鲁棒性。该器件采用超小型的3-X1DFN1006表面贴装封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB设计，用户可以通过正规的DIODES授权代理获取原厂正品以确保质量和供货稳定性。

得益于其紧凑的尺寸和优异的电气性能，DMP56D0UFB-7非常适合空间受限的便携式设备、电池供电应用以及需要高效电源管理的模块。典型应用场景包括负载开关、电源路径管理、电池反接保护、低侧开关以及信号电平转换等。在物联网传感器节点、可穿戴设备、移动电源、以及各类消费电子产品的子系统电源控制中，它都能提供高效、可靠的解决方案。

• 型号:DMP56D0UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58 nC @ 4 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50.54 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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