DMP56D0UFB-7B

作为一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的功率开关器件，DMP56D0UFB-7B的核心架构基于P沟道设计。这种架构允许器件通过负的栅源电压来控制导通，在负载开关、电源路径管理和电平转换等应用中，能够提供简洁高效的解决方案，尤其适用于需要由逻辑电平直接控制电源通断的场合。

该器件在电气性能上表现出色，其漏源击穿电压(Vdss)高达50V，确保了在多种低压至中压应用环境下的可靠性与安全性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值为200mA，能够满足中小功率负载的驱动需求。其导通电阻(RdsOn)特性尤为突出，在Vgs为4V、Id为100mA的条件下，最大值仅为6欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，配合较低的栅极电荷(Qg，最大值0.58nC @ 4V)和输入电容(Ciss，最大值50.54pF @ 25V)，意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于实现高效率的开关电源管理和高频开关操作。

在接口与封装方面，DMP56D0UFB-7B采用紧凑的3-X1DFN1006表面贴装封装，其微小的占板面积使其非常适合于空间受限的便携式和微型化电子设备。其栅源电压(Vgs)最大耐受值为±8V，为驱动电路设计提供了足够的裕量。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，结合425mW（Ta）的最大功率耗散能力，确保了其在严苛工业环境或高密度板卡布局下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的DIODES代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其综合性能，DMP56D0UFB-7B非常适合应用于电池供电设备（如智能手机、可穿戴设备）的负载开关与电源隔离，便携式消费电子产品的电平转换电路，以及作为各类微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)的GPIO口直接驱动的小功率开关。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，也使其成为DC-DC转换器中的理想选择元件。

• 型号:DMP56D0UFB-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58 nC @ 4 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50.54 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:425mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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