DMP6023LEQ-13

DMP6023LEQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET，其核心架构针对高效率和低损耗进行了优化。该器件采用紧凑的SOT-223封装，集成了高性能的单元设计，能够在宽泛的电压和温度范围内提供稳定可靠的开关性能。其沟槽技术有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），是实现低导通损耗的关键，同时优化的栅极结构有助于提升开关速度并降低栅极电荷。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其最大漏源电压（V_DSS）高达60V，为车载电源、电机驱动等存在电压尖峰的应用提供了充足的安全裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（I_D）可达7A，而在借助散热器优化壳体温度（T_C）的条件下，电流能力可显著提升至18.2A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻极低，在10V驱动电压、5A电流条件下典型值仅为28毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在接口与关键参数方面，该器件设计周全。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动为10V，并支持低至4.5V的驱动以进一步降低功耗。栅极电荷（Q_g）最大值仅为53.1nC @ 10V，结合2569pF的输入电容（C_iss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现高频开关应用。其工作结温范围极宽，从-55°C到150°C，完全满足汽车电子和工业环境的严苛要求。作为经过AEC-Q101认证的汽车级产品，其可靠性和长期稳定性在同类产品中处于领先地位，DIODES一级代理可提供完整的技术支持和供应链保障。

基于其高耐压、大电流、低导通电阻和汽车级可靠性，DMP6023LEQ-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括汽车领域的车身控制模块（如车窗升降、座椅调节、LED照明驱动）、DC-DC转换器中的负载开关、电池管理系统（BMS）中的保护电路，以及工业设备中的电机控制与电源分配单元。其表面贴装型SOT-223封装在节省PCB空间的同时，也提供了良好的散热性能，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMP6023LEQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），18.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），17.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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