DMP6050SFG-7

DMP6050SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和4.8A的连续漏极电流(Id)能力，为设计提供了宽裕的电压和电流裕量。其关键特性在于优异的导通性能，在10V栅源电压(Vgs)和5A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至50毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极驱动要求适中，最大栅极阈值电压(Vgs(th))为3V，在4.5V至10V的驱动电压范围内即可实现良好的导通特性，使其易于被微控制器或逻辑电平信号直接驱动，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMP6050SFG-7表现出色。其最大栅极电荷(Qg)仅为24nC @ 10V，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的开关驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。输入电容(Ciss)最大值为1293pF @ 30V，结合其栅极电荷特性，共同确保了器件具备快速响应的能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取此型号，确保产品正品与供货稳定。

凭借其表面贴装型PowerDI3333-8封装带来的小尺寸优势以及优异的电气性能，这款MOSFET非常适合空间受限的现代电子设备。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC转换器中的高端负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制电路中的预驱动级，以及各类需要高效功率切换的消费电子、工业控制和通信模块。其设计在提供强大功率处理能力的同时，也兼顾了热管理和布局的便利性，是工程师实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMP6050SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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