DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度和卓越散热性能而优化的表面贴装封装。其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部优化的单元结构有效降低了栅极电荷和输出电容，从而提升了整体能效和开关速度。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为60V，适用于常见的12V、24V乃至48V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达5.7A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻表现优异，在10V栅源电压(Vgs)和5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为50毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，对于提升系统效率至关重要。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，并与4.5V/10V的驱动电压规格相结合，确保了器件能够被标准的逻辑电平信号（如3.3V或5V）有效且可靠地驱动，简化了驱动电路设计。

在动态参数方面，DMP6050SPS-13在10V Vgs下的最大栅极总电荷(Qg)为30nC，结合较低的输入电容(Ciss)，共同贡献了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的PWM操作。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，并具有±20V的栅源电压耐受能力，增强了其在各种严苛环境下的鲁棒性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品。

凭借其性能组合，DMP6050SPS-13非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的场景。它常被用于负载开关、电源管理单元中的功率路径控制、电机驱动中的H桥下管，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其表面贴装形式和优异的散热特性，使其成为现代紧凑型消费电子、工业自动化设备、通信模块和便携式设备中功率开关电路的理想选择。

• 型号:DMP6050SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2163 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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