DMP6110SFDF-13

作为一款符合汽车级AEC-Q101标准的功率MOSFET，DMP6110SFDF-13采用了先进的P沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件在紧凑的U-DFN2020-6封装内集成了高性能的功率开关单元，其结构设计有效降低了寄生参数，为高频开关应用提供了良好的基础。

该器件的功能特性突出体现在其优异的电气性能上。其最大漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)在25°C下可达4.2A，能够满足中等功率负载的开关与控制需求。其导通电阻(Rds(On))是关键指标，在10V驱动电压(Vgs)和4.5A电流条件下，最大值仅为110毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在17.2nC（@10V），结合969pF的输入电容(Ciss)，意味着其所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，该MOSFET设计有宽泛的工作电压范围，栅源电压(Vgs)可承受±20V，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与常见逻辑电平的良好兼容性。器件的热性能同样可靠，最大功率耗散为1.97W，并且结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，使其能够适应严苛的环境温度变化。其表面贴装型封装（6UDFN）不仅节省了PCB空间，也优化了散热路径。

凭借其汽车级认证和稳健的参数表现，DMP6110SFDF-13非常适合应用于对可靠性和效率有高要求的领域。其主要应用场景包括汽车电子中的负载开关、电源管理模块、电机预驱动以及电池保护电路。此外，在工业控制、便携式设备的功率分配和DC-DC转换器等场合也能发挥重要作用。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMP6110SFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.97W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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