DMP6110SFDFQ-13

DMP6110SFDFQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的6引脚U-DFN2020-6（F类）封装，专为空间受限的现代电子设计而优化。其核心基于成熟的金属氧化物半导体技术，实现了在60V漏源电压（Vdss）和3.5A连续漏极电流（Id）下的稳定工作，为负载开关、电源管理和电机控制等应用提供了可靠的功率开关解决方案。

该器件的一个显著特点是其卓越的导通性能。在驱动电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至110毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.2nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关速度，能够有效减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，增强了抗干扰能力和应用灵活性。

在电气参数方面，DMP6110SFDFQ-13的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与常见逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，便于直接驱动。其最大功耗为760mW，并支持宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），确保了在严苛环境下的可靠性。该产品属于Automotive, AEC-Q101系列，通过了汽车级可靠性认证，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与相关服务。

凭借其高性能与高可靠性，该MOSFET非常适合应用于汽车电子系统中的车身控制模块、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及工业自动化、消费类电子产品中的电源分配和负载开关电路。其表面贴装型封装符合自动化生产要求，有助于客户实现高密度、高效率的PCB布局与制造。

• 型号:DMP6110SFDFQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:760mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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