DMP6110SVT-13

DMP6110SVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了高性能的功率开关能力与出色的热管理特性，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其P沟道架构简化了在负载开关、电源路径管理和极性反转保护等应用中的电路设计，特别是在需要由逻辑电平信号直接驱动的场景中，能够有效减少外围元件数量，提升系统集成度与可靠性。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其漏源电压额定值为60V，能够承受较高的反向电压，为系统提供宽裕的安全裕度。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流可达7.3A，具备驱动较大负载的能力。其导通电阻在Vgs为10V、Id为4.5A的条件下典型值仅为105毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。栅极驱动特性方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与常见的3.3V或5V微控制器逻辑电平完美兼容，实现高效、便捷的驱动。此外，其栅极电荷Qg最大值仅为17.2nC，较低的开关损耗使其适用于中等频率的开关应用。

在接口与参数层面，DMP6110SVT-13的输入电容Ciss最大值为969pF，结合其低栅极电荷，共同确保了快速的开关瞬态响应。器件允许的栅源电压范围为±20V，提供了较强的抗栅极电压尖峰能力。其最大功耗为1.2W（环境温度Ta下），结合TSOT-26封装良好的热性能，确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取正品器件、完整数据手册以及设计支持。

基于其综合性能，该器件非常适合多种现代电子系统的功率管理单元。典型应用包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的负载开关与电源隔离；电池供电设备中的充电管理与放电保护电路；DC-DC转换器中的同步整流或高端开关；以及电机驱动、继电器替代等需要高效率功率控制的场合。其小型化的表面贴装封装也使其成为空间受限的紧凑型设计的理想选择。

• 型号:DMP6110SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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