DMP6185SE-13

DMP6185SE-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，其核心设计旨在满足汽车电子及工业应用中对高可靠性、高效率功率开关的严苛需求。

该MOSFET的架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs和2.2A Id条件下仅为150毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）在10V Vgs下仅为14nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动容限。

在电气参数方面，DMP6185SE-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）能力，为负载开关、电源路径管理和电机控制等应用提供了充足的电压与电流余量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与常见逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，无需复杂的电平转换电路即可直接驱动。最大输入电容（Ciss）为708pF @ 30V，结合低Qg特性，进一步优化了开关动态性能。

得益于其汽车级（Automotive）认证和AEC-Q101资质，此器件非常适合应用于对环境耐受性和长期可靠性要求极高的场景。典型应用包括汽车车身控制模块（BCM）中的负载驱动、LED照明控制、电池管理系统（BMS）中的放电开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及各类工业自动化设备中的功率分配单元。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMP6185SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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