DMP6250SE-13

DMP6250SE-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其P沟道架构简化了在负载位于源极和地之间的高侧开关应用中的栅极驱动电路设计，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而有效降低了系统复杂性和成本。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够承受较高的反向电压，为设计提供了充足的余量。在栅源驱动电压（Vgs）为10V的条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至250毫欧（在1A电流下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为9.7nC，较低的栅极电荷意味着开关过程中的驱动损耗更低，开关速度更快，特别适合在中等频率的开关电源或PWM控制电路中工作。

在接口与可靠性参数方面，DIODES代理商提供的技术资料显示，DMP6250SE-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，可直接驱动。其栅源电压最大耐受值为±20V，提供了较强的抗栅极电压尖峰能力。器件的热性能稳健，在环境温度（Ta）下最大功耗为1.8W，当通过PCB有效散热时，结壳热阻降低，壳温（Tc）下的最大功耗可达14W，这使其能够处理可观的峰值功率。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。

基于其性能组合，DMP6250SE-13非常适合应用于需要高效电源管理的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的高侧负载开关、电池供电设备的电源路径管理与保护电路、电机驱动中的预驱动级，以及各类消费电子和工业控制板卡中的功率分配开关。其SOT-223封装在功率处理能力和占板面积之间取得了良好折衷，是空间受限但又有一定功率密度要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMP6250SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:551 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），14W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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