DMPH2040UVTQ-13

DMPH2040UVTQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，并封装于紧凑的TSOT-26封装内。该器件专为在严苛的汽车电子环境中实现高效、可靠的功率开关与控制而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在提供低导通损耗的同时，也确保了快速的开关性能。

该MOSFET具备多项关键特性以满足现代汽车应用的需求。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V汽车电源系统。在Vgs为4.5V时，其导通电阻(RdsOn)表现优异，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。器件栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.5V @ 250A，并与2.5V（最大RdsOn）和4.5V（最小RdsOn）的驱动电压规格相结合，使其能够与低电压逻辑电路（如微控制器GPIO）轻松兼容，简化了驱动电路设计。此外，其最大栅极电荷(Qg)仅为19nC @ 8V，有助于降低开关损耗并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，DMPH2040UVTQ-13采用表面贴装型TSOT-26封装，尺寸小巧，有助于节省PCB空间。其工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。最大输入电容(Ciss)为834pF @ 10V，结合其低Qg特性，共同优化了开关动态响应。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品，确保原厂正品和技术支持。

凭借其汽车级认证、优异的电气性能和紧凑的封装，该器件非常适合应用于对可靠性和空间有严格要求的场景。典型应用包括汽车车身控制模块中的负载开关，如车窗升降器、座椅调节、照明驱动；亦可用于电池管理系统中的保护开关、电源分配单元，以及信息娱乐系统和ADAS传感器模块中的低压侧功率控制。其设计平衡了效率、尺寸与成本，是汽车电子及工业控制领域高可靠性设计的理想选择。

• 型号:DMPH2040UVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6/11.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):0.59 宽 x 2.64 长（15.0mm x 67.0mm）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:NHD-1.5-128128G，SSD1357
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:834 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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