DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占板面积内集成了强大的功率处理能力，其优化的内部结构有效降低了寄生参数，为高密度电源和电机控制应用提供了理想的解决方案。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，其最大导通电阻（Rds(on)）仅为7.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在139nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并提升工作频率。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下即可实现优异的导通特性，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，使其能很好地兼容3.3V和5V逻辑电平，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DMPH3010LK3-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流（Id）承载能力（基于壳温Tc），为负载开关、电机驱动和DC-DC转换器中的同步整流等应用提供了充足的电压和电流余量。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能参数组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：笔记本电脑、服务器及通信设备的负载开关和电源管理单元（PMU）；电动工具、无人机和机器人中的有刷直流电机驱动与制动电路；以及高效率的同步降压转换器中的高端开关。其表面贴装形式和稳健的TO-252封装也使其成为自动化贴装生产的优选，助力客户实现高可靠性、高功率密度的终端产品设计。

• 型号:DMPH3010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6807 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMPH3010LK3-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。