DMPH3010LPS-13

DMPH3010LPS-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，并封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件基于优化的垂直沟道架构，旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，其结构设计有效降低了寄生电容和栅极电荷，从而提升了开关效率并减少了开关损耗，为高效率电源转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够在25°C壳温条件下持续承受高达60A的漏极电流，展现出强大的功率承载能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为7.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，器件具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大2.1V）和适中的栅极总电荷（Qg最大139nC @ 10V），这意味着它能够被标准逻辑电平或低压驱动器轻松、快速地驱动，有助于简化驱动电路设计并提升系统开关频率。

在接口与参数方面，DMPH3010LPS-13的栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了良好的栅极保护裕量。其输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大为6807pF，结合其低Qg特性，共同确保了快速的开关瞬态响应。器件的工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，并采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散为2.6W（环境温度Ta下），适合高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关特性，DMPH3010LPS-13非常适用于对效率和空间有严苛要求的应用场景。它常被部署在同步整流、电机驱动控制、电池保护电路以及DC-DC转换器（尤其是负载点降压或升压拓扑）中的高端开关位置。在服务器电源、通信设备、电动工具和便携式电子产品的电源管理模块中，该器件能够有效提升系统整体能效，降低温升，并助力实现更小巧、更可靠的终端产品设计。

• 型号:DMPH3010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 60A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6807 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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