DMPH4013SK3Q-13

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率器件，DMPH4013SK3Q-13采用了先进的P沟道MOSFET架构。其核心设计基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化沟道与栅极结构，在确保高可靠性的前提下，显著提升了功率密度与开关效率。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也兼顾了自动化生产的便利性，使其非常适合高密度PCB布局。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与稳健的电气规格。其最大连续漏极电流在壳温条件下可达55A，而漏源电压额定值为40V，为中等功率应用提供了充足的裕量。更关键的是，其在10V栅源电压、10A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至15毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。其栅极阈值电压最大值为3V，且驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现良好的导通特性，这使其既能兼容传统的12V系统逻辑电平，也能适应更低的电压驱动需求，设计灵活性高。

在动态参数方面，该器件在10V Vgs下的栅极电荷仅为67nC，较低的Qg值意味着开关过程中的栅极驱动损耗更小，有助于实现更高频率的开关操作并降低驱动电路的热负担。同时，其输入电容在20V Vds下最大为4004pF，合理的电容参数有助于平衡开关速度与EMI性能。器件的稳健性还体现在其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及高达±20V的栅源电压耐受能力，这些特性共同保障了其在汽车电子等恶劣环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术支持与供货保障。

综合其技术参数，DMPH4013SK3Q-13主要面向对可靠性、效率和功率密度有严格要求的应用场景。在汽车领域，它非常适合用作12V或24V电池系统中的负载开关、电机预驱动或电源反向保护电路。在工业控制与电源管理模块中，其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC转换器同步整流、OR-ing（或门）电路以及热插拔控制等功能的理想选择。其车规级认证背景也使其能够无缝应用于需要满足高可靠性标准的其他领域。

• 型号:DMPH4013SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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