DMPH4023SK3-13

DMPH4023SK3-13是一款由Diodes Incorporated推出的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件基于成熟的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，其核心设计优化了电荷平衡与电流通路，从而在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与出色的热性能。作为一款通过AEC-Q101认证的汽车级产品，它严格遵循了汽车电子在可靠性、温度范围及长期稳定性方面的苛刻标准。

该MOSFET的显著特性包括40V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达50A的连续漏极电流能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为26毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件具有较低的栅极电荷（Qg，最大值18.7nC @ 10V）和输入电容，这有助于减少开关过程中的能量损失，提升开关速度，并降低对驱动电路的要求，使得它在高频开关应用中表现优异。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动容限。

在电气参数方面，DMPH4023SK3-13的阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与常见逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合TO-252（D-Pak）表面贴装封装，不仅提供了良好的功率耗散能力（Ta环境下最大2.1W），也便于自动化生产并节省PCB空间。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件与技术资料。

凭借其高电流、低损耗和汽车级的可靠性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和鲁棒性要求极高的领域。其主要应用场景包括汽车电子系统中的负载开关、电机驱动控制、电池管理电路（如防反接保护、负载断开开关），以及工业电源、DC-DC转换器中的同步整流或高边开关。在这些场景中，它能够有效管理功率路径，提升整体系统的能效与可靠性。

• 型号:DMPH4023SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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