DMPH4023SK3Q-13

Diodes Incorporated推出的DMPH4023SK3Q-13是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件，其核心架构针对高效率和可靠性进行了优化。该器件基于成熟的沟槽工艺，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其设计严格遵循AEC-Q101汽车级标准，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，结温工作范围宽达-55°C至175°C，能够承受汽车电子应用中常见的温度冲击和振动挑战。

在电气特性方面，DMPH4023SK3Q-13展现出卓越的性能。其最大漏源电压（Vdss）为40V，在25°C壳温条件下可支持高达50A的连续漏极电流，为负载开关和电机驱动应用提供了充足的电流余量。一个关键优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和10A电流条件下，Rds(On)最大值仅为26毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在18.7nC（@10V），结合1091pF的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。

该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的卷带包装。其驱动门限电压（Vgs(th)）最大值为3V，而最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了宽裕且稳健的驱动窗口。最大功率耗散为2.1W（Ta），在实际应用中需结合散热设计以充分发挥其电流能力。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号，确保产品的正宗性与供货稳定性。

凭借其高电流能力、低导通电阻和汽车级的可靠性，DMPH4023SK3Q-13非常适用于要求严苛的汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、燃油泵控制、风扇驱动及各类车身控制模块中的高边开关。此外，在工业电源管理、电池保护电路以及需要高效功率切换的DC-DC转换器拓扑中，它也是一个理想的选择，能够帮助设计工程师提升系统功率密度和能效表现。

• 型号:DMPH4023SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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