DMPH4029LFG-7

DMPH4029LFG-7是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件基于优化的垂直沟道架构，旨在实现高电流密度下的低导通损耗。其核心设计平衡了导通电阻、栅极电荷和开关速度，使其在40V的漏源电压额定值下，能够高效处理从信号切换到中等功率管理的任务。器件采用热增强型表面贴装封装，结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、3A Id条件下典型值仅为29mΩ，这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC @ 10V，结合1626pF的输入电容（Ciss），意味着它具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源等应用的频率和效率。

在接口与参数方面，DMPH4029LFG-7提供了灵活的驱动和强大的电流处理能力。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为8A，在管壳温度（Tc）下可达22A，展现了出色的热性能。驱动电压范围覆盖4.5V至10V，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了充足的驱动余量和保护。器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的、散热性能优异的表面贴装封装，有助于在有限空间内实现高功率密度设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其综合性能，该器件非常适合多种应用场景。它常被用于负载开关、电源管理模块、电机驱动控制以及DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。在电池供电设备、便携式电子产品、工业自动化控制板和汽车辅助系统中，其高效率和小尺寸特性尤为关键。其宽工作温度范围和稳健的电气参数，也使其成为对可靠性和环境适应性有较高要求的工业级和消费级产品的理想选择。

• 型号:DMPH4029LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29mOhm @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1626 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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