DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，其设计和制造过程严格遵循汽车电子可靠性规范，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，结温工作范围宽达-55°C至175°C，满足汽车应用对温度耐受性的高要求。

该MOSFET在电气性能上表现突出，其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够在25°C壳温条件下持续承受高达35A的漏极电流。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V驱动电压和10A电流条件下，Rds(On)最大值仅为33毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极驱动特性经过优化，阈值电压Vgs(th)最大值为3V，而最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为53.1nC，这有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，其栅源电压可承受±20V，提供了良好的抗干扰能力。

在封装与接口方面，DMPH6023SK3Q-13采用行业标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装。这种封装形式在功率密度、散热能力与PCB占板面积之间取得了良好平衡，其最大功耗为3.2W。器件的输入电容（Ciss）在30V条件下最大值为2569pF，这一参数对于评估开关速度和驱动设计至关重要。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其稳健的汽车级认证、优异的开关性能与功率处理能力，这款MOSFET非常适合应用于对可靠性和效率有严格要求的领域。其主要应用场景包括汽车电子系统中的负载开关、电机驱动控制、电池管理电路（如防反接保护）以及DC-DC转换器中的高侧开关。在工业电源、电动工具和各类需要高效功率路径管理的设备中，它也能作为理想的解决方案，帮助设计工程师提升系统整体性能和可靠性。

• 型号:DMPH6023SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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