DMPH6050SFG-13

DMPH6050SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进POWERDI333封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的散热性能之间的平衡。其结构优化了芯片内部的电流通路和栅极控制，有效降低了寄生参数，为高效率的功率开关应用奠定了坚实基础。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电流处理能力和稳健的电压等级。在25°C环境温度(Ta)下，其连续漏极电流(Id)额定值为6.1A；而在管壳温度(Tc)条件下，该值可高达18A，这突显了其在良好散热条件下的强大载流潜力。其漏源击穿电压(BVDSS)范围覆盖41V至60V，为设计提供了灵活的电压裕量，确保在常见的12V、24V乃至48V总线系统中稳定可靠地工作。这些参数共同指向一个核心优势：在紧凑的封装内实现低导通损耗和高电流容量。

在接口与关键参数方面，DMPH6050SFG-13的POWERDI333封装是其一大亮点。这种封装具有极低的封装寄生电感和电阻，有助于提升开关速度并减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。虽然部分动态参数如导通电阻(RdsOn)、栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)的具体最大值未在基础列表中提供，但其电流和电压额定值已明确勾勒出该器件适用于中功率、中压领域的开关和线性调节场景。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过DIODES一级代理可以获得完整的技术资料、样品支持与供货保障。

基于其技术规格，DMPH6050SFG-13非常适合应用于对空间和效率有较高要求的领域。典型的应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与负载开关，以及各类消费电子和工业设备中的电源管理模块。其设计能够帮助工程师在提升系统整体能效的同时，有效控制PCB板面积，是构建紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMPH6050SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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