DMPH6050SPDQ-13

Diodes Incorporated推出的DMPH6050SPDQ-13是一款采用先进工艺集成的双P沟道功率MOSFET阵列，其核心架构基于优化的沟槽技术，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用紧凑的8引脚PowerDI5060封装，内部集成了两个性能一致的独立P沟道MOSFET，为高密度电源管理和负载开关应用提供了高度集成的解决方案。其设计充分考虑了热管理和电气隔离，确保在恶劣环境下仍能保持稳定的性能输出。

该芯片具备多项突出的电气特性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值高达26A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在5A电流、10V栅源电压条件下典型值仅为48毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极阈值电压最大值为3V，栅极电荷(Qg)在4.5V条件下最大仅为14.5nC，这些参数共同确保了快速、高效的开关性能，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其输入电容(Ciss)在30V条件下最大为1525pF，为开关频率的优化提供了设计灵活性。

在接口与参数方面，DMPH6050SPDQ-13采用表面贴装形式，便于自动化生产。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，结合其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，使其能够承受严苛的温度波动和机械应力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取原厂正品和技术支持。这些稳健的参数使其接口兼容性强，能够无缝集成到各种控制逻辑中。

基于其高电流能力、低损耗以及汽车级可靠性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的领域。其主要应用场景包括汽车电子系统中的负载开关、电机预驱动、电池反接保护，以及工业设备、通信基础设施中的DC-DC转换器同步整流和OR-ing功能。在需要双路高侧开关或互补驱动的紧凑型电源模块中，其集成化设计能显著节省PCB面积，提升系统整体的功率密度和可靠性。

• 型号:DMPH6050SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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