DMS3012SFG-13

DMS3012SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，使其在中等电压、大电流的开关应用中表现出色。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压下，Rds(On)典型值仅为10毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与多种逻辑电平控制器和驱动器轻松兼容，简化了驱动电路设计。此外，器件内部集成了体二极管（肖特基二极管），为感性负载的续流提供了低损耗路径，增强了系统的可靠性。

在电气参数方面，DMS3012SFG-13具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和12A的连续漏极电流(Id)能力，能够承受较高的功率应力。其栅极电荷(Qg)最大值仅为14.7nC，输入电容(Ciss)也得到有效控制，这共同确保了快速的开关瞬态响应，减少了开关损耗，尤其适合高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保正品货源和稳定供应的有效途径。

基于其优异的性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间均有高要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载点(POL)转换器，以及笔记本电脑、显卡等消费电子产品的电源管理模块。此外，在电机驱动、电池保护电路等需要高效功率开关的领域，它也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMS3012SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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