DMS3014SFGQ-13

DMS3014SFGQ-13是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在提供高功率密度的同时，优化了热性能和PCB布局的灵活性。其设计严格遵循AEC-Q101标准，确保了在严苛的汽车电子环境中具备卓越的可靠性与稳定性。

该MOSFET的关键特性在于其优异的电气性能平衡。它具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和9.5A的连续漏极电流(Id)能力，为负载开关和电机控制等应用提供了充足的电压与电流余量。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压下典型值极低，最大值仅为14.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，2.2V的低栅极阈值电压(Vgs(th))和19.3nC的低栅极电荷(Qg)使其易于被微控制器等低压逻辑电路驱动，并能实现高速开关，有效降低开关损耗。

在接口与参数方面，该器件支持高达±12V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。其输入电容(Ciss)经过优化，有助于简化驱动电路设计。表面贴装的PowerDI3333-8封装不仅节省空间，其良好的热特性也支持器件在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗为1W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

DMS3014SFGQ-13非常适合应用于对效率、尺寸和可靠性有高要求的领域。其核心应用场景包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关以及DC-DC转换器的同步整流侧。在工业电源、便携式设备及电池管理系统中，其低导通电阻和快速开关特性也能显著提升整体能效和功率密度，是设计高性能、高可靠性功率电路的理想选择。

• 型号:DMS3014SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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