DMS3014SSS-13

DMS3014SSS-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于紧凑的8引脚SO封装内。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过优化的单元结构和工艺控制，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。器件内部集成了体二极管，为感性负载开关应用提供了必要的续流路径，增强了系统的可靠性。

该器件的一个显著特点是其优异的导通性能，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至13毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能兼容标准的3.3V或5V逻辑电平进行驱动，也能在更高栅压下获得更低的导通电阻。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45.7nC，结合2296pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗相对较低，有利于实现较高的开关频率。

在电气参数方面，DMS3014SSS-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和10.4A的连续漏极电流（Id）能力，为其在低压大电流场景中的应用奠定了基础。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的8-SO封装形式符合现代电子装配的自动化生产要求，节省了PCB空间。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方DIODES代理商咨询替代产品或库存信息。

凭借其低导通电阻、快速开关能力以及适中的电压电流等级，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥臂、以及各类负载开关和电源管理模块。其设计旨在为工程师在空间受限且对效率和热管理有要求的低压系统中，提供一个可靠的半导体开关解决方案。

• 型号:DMS3014SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2296 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.55W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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