DMS3017SSD-13

DMS3017SSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术制造，旨在实现紧凑空间内的高效功率切换。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在单颗芯片上实现双通道高性能开关成为可能，为空间受限的设计提供了高度集成的解决方案。

该器件的主要优势体现在其优异的电气特性上。作为逻辑电平门MOSFET，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为2.5V，确保了其能够被3.3V或5V的微控制器GPIO端口直接、可靠地驱动，无需额外的电平转换或栅极驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体BOM成本。在导通性能方面，其在Vgs=10V、Id=9.5A条件下的导通电阻(RDS(on))典型值低至12毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统的能效与可靠性。

在接口与关键参数上，DMS3017SSD-13的每个MOSFET通道可承受高达30V的漏源电压(Vdss)，并支持8A（单通道）或6A（双通道同时工作）的连续漏极电流。其栅极电荷(Qg)最大值控制在30.6nC，输入电容(Ciss)为1276pF，这些较低的开关相关参数有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。器件额定最大功耗为1.19W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其双通道集成、逻辑电平驱动和低导通电阻的特性，这款MOSFET阵列非常适合应用于需要高效、紧凑功率管理方案的领域。典型应用包括服务器、网络通信设备中的负载开关与电源路径管理，台式电脑主板上的多相CPU供电电路中的同步整流，以及各类工业自动化控制板中的电机驱动、继电器驱动和DC-DC转换器的次级侧同步整流。其表面贴装封装也完全适配现代自动化贴片生产工艺。

• 型号:DMS3017SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1276pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.19W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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