DMT10H009LFG-13

Diodes Incorporated推出的DMT10H009LFG-13是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，实现了高功率密度与优异热性能的结合。其核心设计旨在提供极低的导通损耗和快速的开关特性，这对于提升现代电源转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态条件下的可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下典型值仅为8.5毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为41nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于在高频开关应用中工作。

在电气参数方面，DMT10H009LFG-13的连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达50A，在环境温度（Ta）下为13A，展现了强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准的逻辑电平驱动兼容，但为了获得最低的Rds(on)，推荐使用10V的驱动电压。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声能力。其最大功耗在壳温条件下可达30W，结合PowerDI3333-8封装优良的热导性，能够有效将芯片热量传递至PCB，确保在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此产品。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。它常被用作同步整流器、DC-DC转换器中的主开关或负载开关，广泛应用于服务器电源、通信基础设施、工业电源模块以及各类消费类电子产品的电源管理单元中。其表面贴装形式也完全适配自动化生产流程，有助于降低制造成本。

• 型号:DMT10H009LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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