DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度应用而优化的紧凑型表面贴装封装，能够在有限的PCB空间内实现高效的散热和可靠的电气连接。其核心设计旨在提供优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这是衡量MOSFET开关效率的关键品质因数，确保器件在开关电源等高频应用中既能降低导通损耗，又能保持快速的开关瞬态响应。

该MOSFET的电气特性表现出色，其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，为设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻(Rds(on))典型值低至9.5毫欧（@13A），这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，与标准逻辑电平驱动兼容性良好，而最大栅极电荷(Qg)仅为71nC，有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，对于提升开关频率和减小磁性元件尺寸至关重要。

在接口与热管理方面，器件支持±20V的最大栅源电压，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。其热性能参数同样引人注目，在管壳温度(Tc)条件下最大功耗可达139W，结合PowerDI5060封装优异的散热能力，使其能够承受持续的高电流工作。其连续漏极电流在环境温度(Ta)下为9.4A，而在管壳温度(Tc)下可达98A，这突显了其卓越的电流处理能力和散热设计的重要性。广泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

基于其高性能参数，DMT10H010LPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类工业电源模块。其紧凑的封装和强大的性能使其成为空间受限的现代高可靠性电子设备中功率开关部分的理想选择。

• 型号:DMT10H010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），139W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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