DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为高效功率转换和开关应用而设计，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该器件具备多项关键电气特性。其漏源电压额定值为100V，能够为多种中压应用提供充足的电压裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值低至8.8毫欧（在13A条件下），这直接转化为更低的通态功率损耗和更优的热性能。同时，其栅极电荷最大值仅为56.4nC（在10V条件下），结合4.468nF的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其非常适合高频开关场景。其栅源电压耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动兼容性。

在热管理和电流处理能力上，DMT10H010SPS-13表现出色。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境。值得注意的是，其电流承载能力根据散热条件不同而显著变化：在环境温度下连续漏极电流为10.7A，而在管壳温度条件下则可高达113A，这突显了其强大的芯片性能和对外部散热设计的依赖。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

综合其参数，这款MOSFET主要面向需要高效率和高功率密度的应用领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其PowerDI5060封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代电子设备，如计算设备、通信基础设施和工业自动化系统，是实现高性能、高可靠性功率设计的优选元器件。

• 型号:DMT10H010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta），113A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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