DMT10H015LCG-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT10H015LCG-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的功率开关。该器件基于优化的单元结构，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关速度与导通损耗之间取得了出色的平衡。其紧凑的V-DFN3333-8封装不仅提供了优异的散热性能，还满足了现代高密度PCB布局的需求。

该器件的电气性能表现突出，其漏源电压（Vdss）高达100V，确保了在多种电压环境下的稳定工作。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至15毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计兼容性强，阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，而最大栅源电压（Vgs）支持±20V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为33.3nC，结合1871pF的输入电容，使得开关过程迅速，有助于降低高频应用中的开关损耗。

在接口与参数层面，DMT10H015LCG-13提供了灵活的电流承载能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为9.4A，而在管壳温度下可达34A，展现了其强大的过流能力。其工作结温范围宽达-55°C至155°C，能够适应严苛的工业环境。表面贴装型（SMD）封装便于自动化生产，而功率耗散能力为设计中的热管理提供了基础。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过正规的DIODES代理商获取该产品以确保原装正品和技术支持。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器、电机驱动控制、电源管理模块以及各类开关电源。在服务器电源、工业自动化设备、电动工具和汽车电子等对效率、功率密度及可靠性要求极高的系统中，DMT10H015LCG-13能够作为核心开关元件，有效提升整体系统的能效和功率处理能力。

• 型号:DMT10H015LCG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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