DMT10H015LCG-7

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT10H015LCG-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于紧凑的V-DFN3333-8封装，集成了优化的单元结构，有效降低了寄生参数，为开关电源、电机驱动等应用提供了坚实的硬件基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，确保了在高压环境下的稳定工作能力。导通特性是其关键优势，在驱动电压Vgs为10V、漏极电流Id为20A的条件下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为15毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3.5V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或驱动IC直接控制，简化了外围电路设计。

在动态特性方面，DMT10H015LCG-7的栅极总电荷(Qg)在10V条件下最大值为33.3nC，结合1871pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关切换速度，有助于减少开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其电流处理能力根据散热条件不同而有所区分，在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)为9.4A，而在管壳温度(Tc)下则可高达34A，这为设计者提供了灵活的功率裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到155°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借100V的耐压、极低的导通电阻、快速的开关性能以及宽温度工作范围，DMT10H015LCG-7非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动控制器（如无人机电调、电动工具）、LED照明驱动以及各类工业电源模块。其表面贴装型封装也符合现代电子产品小型化、高集成度的设计趋势。

• 型号:DMT10H015LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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