DMT10H015LFG-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT10H015LFG-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关。该器件基于优化的单元设计，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关过程中显著减少了传导损耗和开关损耗，为电源转换和电机驱动应用提供了坚实的硬件基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够满足多种中压应用场景的需求。在导通性能方面，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至13.5毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。此外，栅极总电荷（Qg）最大值仅为33.3nC，结合较低的输入电容（Ciss），共同确保了快速开关能力，有助于提升开关频率并降低开关噪声。

在接口与参数方面，该MOSFET提供了灵活的驱动和散热选项。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的应力，增强了应用的鲁棒性。器件提供两种关键的电流额定值：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为10A，而在管壳温度（Tc）下可高达42A，这为不同散热条件下的电流能力评估提供了明确依据。其功率耗散能力在Tc条件下最大为35W。该器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，此封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。其工作结温（Tj）范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持和正品供应，建议通过DIODES授权代理进行采购。

凭借其平衡的性能参数，DMT10H015LFG-13非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制（如无人机、电动工具）、LED照明驱动以及各类电源适配器和服务器电源。其低导通电阻和高开关速度的组合，使其成为提升现代电子设备能效和功率密度的理想选择。

• 型号:DMT10H015LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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