DMT10H015LFG-7

作为一款采用先进MOSFET技术的功率开关器件，DMT10H015LFG-7的核心架构基于N沟道设计，其金属氧化物半导体场效应晶体管结构在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了优异的电压阻断能力和稳定的开关特性。该器件采用了热增强型的PowerDI3333-8表面贴装封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了PCB空间利用率，其卓越的热设计更确保了在高达150°C的结温（TJ）下可靠工作，其功率耗散能力在特定条件下可达35W（Tc），为高功率密度应用提供了坚实基础。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的低导通损耗优势。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为13.5毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在33.3nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升开关电源的开关频率并简化栅极驱动电路设计。其阈值电压Vgs(th)最大值为3.5V，与标准的逻辑电平驱动兼容性好，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全裕度。

该器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分：在环境温度（Ta）下连续漏极电流为10A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达42A，这为设计者在不同散热方案下的电流选型提供了明确指导。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够适应工业、汽车等严苛环境。对于需要稳定货源和全面技术支持的项目，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障供应链与获取完整技术资料的有效途径。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关性能以及出色的热特性，DMT10H015LFG-7非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护板以及各类电源管理模块。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并确保在频繁开关和持续大电流工况下的长期运行可靠性。

• 型号:DMT10H015LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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