DMT10H025LK3-13

DMT10H025LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，专为汽车电子及高可靠性工业应用中的高效功率开关和转换而设计。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的电气性能和热管理能力，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在提升系统整体效率。

该MOSFET的漏源电压（Vdss）高达100V，并能在25°C壳温条件下提供47.2A的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为22毫欧，这直接有助于降低传导损耗和温升。同时，其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，而最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为21nC，这有效降低了开关损耗并简化了驱动电路设计，使其在高速开关应用中表现优异。

在接口与参数方面，器件支持±20V的最大栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量。其输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大值为1477pF，结合低Qg特性，确保了快速的开关响应。该器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为2.6W，结合TO-252封装良好的热性能，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C的严苛环境，完全满足汽车级应用的可靠性要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品。

基于其高耐压、大电流、低导通电阻和符合AEC-Q101标准的特性，DMT10H025LK3-13非常适合应用于要求严苛的汽车电子领域，如电动助力转向（EPS）、电机驱动、燃油泵控制、LED照明驱动以及DC-DC转换器中的主开关。此外，在工业电源、电池管理系统（BMS）和各类高效开关电源中，它也是实现高功率密度和高效率设计的理想选择。

• 型号:DMT10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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