DMT10H025SK3-13

作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET，DMT10H025SK3-13采用了先进的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构针对高功率密度和高效开关应用进行了优化，通过精心的芯片设计与封装工艺，在紧凑的TO-252（D-Pak）封装内实现了卓越的电气性能与可靠性，能够满足严苛的汽车电子环境对元器件的长期稳定性要求。

该器件具备多项突出的功能特性。其100V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的鲁棒性。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）高达41.2A，使其能够承载大电流负载。尤为关键的是其极低的导通损耗，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为23毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在21.4nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，并兼容低至6V的驱动，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了良好的驱动灵活性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备足够的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。表面贴装的TO-252封装不仅便于自动化生产，其良好的热性能也有助于功率耗散。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取产品与相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和汽车级可靠性，DMT10H025SK3-13非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的场景。其主要应用领域包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及其他工业电源和功率控制模块。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热设计难度，并保障系统长期可靠运行。

• 型号:DMT10H025SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMT10H025SK3-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。